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硅基光芯片
推薦產(chǎn)品:
硅基光芯片
四川梓冠光電生產(chǎn)制造的硅基光芯片依托18項專利技術(shù)(含7項發(fā)明專利),質(zhì)量評級為:軍工級元器件,提供SOI高速光開關(guān)芯片,SOI光延時線芯片,SOI光電探測器芯片等硅基光芯片產(chǎn)品,具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)、高串擾的特點,主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護、激光器雷達系統(tǒng)、光子系統(tǒng)等領(lǐng)域。可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
SOI高速光開關(guān)1x8芯片
2025-08-01
SOI高速光開關(guān)1x8芯片波長1530-1565nm、插損≤8db、開關(guān)速度<200ns
產(chǎn)品描述
SOI高速光開關(guān)1x8芯片具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)、高串擾的特點,主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護、激光器雷達等領(lǐng)域
SOI高速光開關(guān)陣列芯片
2025-08-01
SOI高速光開關(guān)陣列芯片波長范圍:1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
產(chǎn)品描述
SOI高速光開關(guān)陣列芯片具有多通道,高集成度芯片化,高速響應(yīng)的特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護等領(lǐng)域
SOI高速多通道光衰減器
2025-08-01
SOI高速多通道光衰減器波長范圍1530-1570nm或1270-1330nm
產(chǎn)品描述
SOI高速多通道光衰減器芯片具有多通道,高集成度芯片化,高速響應(yīng)的特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護等領(lǐng)域
SOI光延時線芯片
2025-08-01
SOI光延時線芯片波長范圍?1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
產(chǎn)品描述
SOI光延時線芯片具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)等特點,主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達等領(lǐng)域
SOI偏振控制器-開關(guān)陣列芯片
2025-08-01
SOI偏振控制器-開關(guān)陣列芯片波長范圍1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
產(chǎn)品描述
SOI偏振控制器-開關(guān)陣列芯片具有多通道、高度集成度芯片化、高速響應(yīng)等特點,主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達等領(lǐng)域
SOI光電探測器-混頻光電探測器陣列芯片
2025-08-01
SOI光電探測器-混頻光電探測器陣列芯片波長范圍:1530-1570nm或1270-1330nm
產(chǎn)品描述
SOI光電探測器-混頻光電探測器陣列芯片具有多通道,高集成度芯片化,大模擬帶寬等特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,激光雷達等領(lǐng)域
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