二、SOI光電探測器陣列-混頻光電探測器陣列芯片特性
多通道
高集成度芯片化
大模擬帶寬
三、SOI光電探測器陣列-混頻光電探測器陣列芯片應用領域
光纖傳感
光纖通信
激光雷達
四、SOI光電探測器陣列-混頻光電探測器陣列芯片規(guī)格參數(shù)
| 參數(shù)指標 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波長范圍 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
| 暗電流 | nA | 30@-1V, | ||
| 3dB 模擬帶寬 | GHz | 30@-2V | ||
| 光飽和功率 | mW | 10 | ||
| 響應度 | A/W | 0.8 | ||
| 90度光學混頻器損耗 | dB | 6 | 6.5 | 6.7 |
| 90度光學混頻器相位失衡度 | ° | 5 | ||
| 通道數(shù) | 1,2,3,4,5 或可定制 | |||
| 光纖接入損耗 | dB | ≤1.5 | ||
| 偏振相關損耗 | dB | ≤0.5 | ||
| 工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 50 | |
| 工作濕度范圍 | % | +65 | ||
| 芯片尺寸 | mm | 陣列式光電探測器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH 陣列式混頻探測器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH 4 通道混頻探測器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H) | ||
五、SOI光電探測器-混頻光電探測器陣列芯片的尺寸
四川梓冠光電SOI光電探測器-混頻光電探測器陣列芯片訂貨信息
| ZG | 波長 | 通道數(shù) | 類型 |
| 13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other | 1=光電探測器 1=PD 2=混頻器 2=Mixer XX=other |
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