400~1800nm光電探測(cè)器是一種能將該波段（覆蓋可見光至近紅外及部分短波紅外）的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。其核心材料包括硅（Si，400~1100nm）、銦鎵砷（InGaAs，800~1700nm，擴(kuò)展后可達(dá)2700nm）和鍺（Ge，800~1800nm），通過光生載流子效應(yīng)實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。
二、400~1800nm光電探測(cè)器特點(diǎn)：
波長(zhǎng)超寬范圍
高響應(yīng)度
量子效率
快速響應(yīng)
高帶寬
結(jié)構(gòu)多樣化
抗干擾能力強(qiáng)
三、400~1800nm光電探測(cè)器應(yīng)用領(lǐng)域：
光通信系統(tǒng)
光學(xué)相干斷層掃描（OCT）
激光雷達(dá)（LiDAR）
大氣污染檢測(cè)
導(dǎo)彈制導(dǎo)
光譜分析
四、400~1800nm光電探測(cè)器參數(shù)：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | |
| 傳感器材料 | Dual SiInGaAs | ||
| 波長(zhǎng)范圍 | λ | 400~1800nm | |
| 峰值波長(zhǎng) | λP | 950nm | 1300nm |
| 響應(yīng)度 | ?(λ) | 0.55A/W | 0.60A/W |
| 有效面積直徑 | 2.54mm | 1.50mm | |
| 上升/下降時(shí)間 (RL=50 ?, 0 V, λP) | tr/tf | 4.0μs | 4.0μs |
| NEP, 典型 (0 V , λP ) | W/√Hz | 1.9x10-14 | 2.1x10-13 |
| 暗電流 (1 V) | Id | 1nA | 0.5nA |
| 電容值 (0 V) | Cj | 450pF | 300pF |
| 封裝 | TO-5 | ||
五、400~1800nm光電探測(cè)器最大額定值
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| 最大偏置（反向）電壓 | 5V (Si)；2V (InGaAs) |
| 反向電流 | N/A |
| 工作溫度 | -40 to 100 °C |
| 儲(chǔ)存溫度 | -55 to 125 °C |
六、400~1800nm光電探測(cè)器典型光譜強(qiáng)度分布
光電二極管的響應(yīng)率是衡量其對(duì)光的敏感度的指標(biāo)，定義為在給定波長(zhǎng)下，光電流IP與入射光功率P之比：
換言之，它是衡量光能轉(zhuǎn)換為電流效率的指標(biāo)。響應(yīng)率因批次不同而有所差異，并且會(huì)隨著入射光的波長(zhǎng)、施加的逆向偏壓以及溫度的變化而變化。由于光電二極管中電荷收集效率的提高，響應(yīng)率會(huì)隨施加的逆向偏壓略有增加。溫度的變化會(huì)增大或減小帶隙的寬度，并且與溫度成反比。
七、400~1800nm光電探測(cè)器參考電路
八、400~1800nm光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)圖
九、四川梓冠光電400~1800nm光電探測(cè)器訂購(gòu)信息
型號(hào)：ZG-PD-A-B-C-D
| ZG-PD | A | B | C | D |
| 傳感器材料 | 波長(zhǎng)范圍 | 響應(yīng)度 | 封裝 | |
| SiInGaAs | 400=400nm 1800=1800nm XX=others | 0.55=0.55A 0.60=0.60A | TO-5 |
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