多模850nmMEMS光衰減器

一、多模850nmMEMS光衰減器的定義
多模850nmMEMS光衰減器是一種基于微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的光學(xué)器件，能夠在850nm波長下對多模光纖中的光信號進行精確衰減。其核心是通過微機械結(jié)構(gòu)的微小位移或變形，動態(tài)調(diào)節(jié)光信號的傳輸路徑或反射率，從而實現(xiàn)光功率的實時控制。

二、多模850nmMEMS光衰減器的特點

高精度衰減
快速響應(yīng)
低插入損耗
環(huán)境穩(wěn)定性
結(jié)構(gòu)緊湊
低功耗

三、多模850nmMEMS光衰減器的應(yīng)用領(lǐng)域

光通信系統(tǒng)
光纖測試與測量
多模傳輸網(wǎng)絡(luò)
科研與教育
激光加工與醫(yī)療
量子通信

四、多模850nmMEMS光衰減器的參數(shù)

參數(shù)	單位	指標(biāo)	備注
波長范圍	nm	800-1100 or 1260-1650nm
衰減類型		常開或常閉
衰減范圍	dB	0-40
最大衰減范圍	dB	≥50
插入損耗	dB	≤0.8 (0.6 Typ.)	不含連接頭損耗
衰減類型		連續(xù)
波長相關(guān)損耗	dB	≤0.1	0.4nm 帶寬在0dB測試
波長相關(guān)損耗	dB	≤0.3	0.4nm 帶寬在20dB測試
偏振相關(guān)損耗	dB	≤0.1	在0dB測試
		≤0.2	在20dB測試
		≤0.3	在40dB測試
溫度相關(guān)損耗	dB	≤0.15	在0dB測試比較
		≤0.3	在20dB測試比較
		≤0.5	在40dB測試比較
回波損耗	dB	≥55
偏振模色散	ps	≤0.5
響應(yīng)時間	ms	≤10 (8 Typ.)	10-90% 光功率
承受光功率	mW	500
驅(qū)動電壓	VDC	22.26V（30dB）
驅(qū)動電壓	VDC	46.16V（50dB）
功耗	mW	≤5
工作溫度	℃	-5 to 70
貯藏溫度	℃	-40 to 85

五、多模850nmMEMS光衰減器的封裝尺寸及管腳定義

多模850nmMEMS光衰減器的封裝尺寸及管腳定義

六、四川梓冠光電多模850nmMEMS光衰減器訂購信息

型號：ZG-MEMS-VOA-A-B-C-D-E-F

ZG-MEMS-VOA	A	B	C	D	E	F
	VOA	端口	工作波長	光纖類型	光纖長度	連接頭
	1=常閉 2=常開	0101=1X1 XX=others	1060=1060nm 1310=1310nm 1550=1550nm 1625=1625nm X=others	50=50/125 62.5=62.5/125 XX=others	0.5=0.5m 1=1m X=others	NE=None FA=FC/APC FP=FC/PC SA=SC/APC SP=SC/PC ST LC XX=others

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