二、1550nm保偏鈮酸鋰強(qiáng)度調(diào)制器的特點(diǎn)：
X切Y傳鈮酸鋰
鈦擴(kuò)散或質(zhì)子交換波導(dǎo)
低驅(qū)動(dòng)電壓
獨(dú)立偏置電極
零啁啾
保偏光纖設(shè)計(jì)
精密斜耦合
優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性
三、1550nm保偏鈮酸鋰強(qiáng)度調(diào)制器的應(yīng)用領(lǐng)域：
高速光通信
脈沖產(chǎn)生與整形
光纖傳感系統(tǒng)
激光雷達(dá)
模擬傳輸系統(tǒng)
四、1550nm保偏鈮酸鋰強(qiáng)度調(diào)制器的參數(shù)：
| 參數(shù) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波長(zhǎng) | nm | 1550 | ||
| 半波電壓DC直流電極 | V | 6.5 | 7 | |
| 電光帶寬S21@-3dB | GHz | 3 | ||
| RF 半波電壓@DC | V | 3.5 | 4 | |
| 偏置半波電壓 | V | 5 | ||
| 抖動(dòng) | dB | 0.5 | 1 | |
| 電回波損耗S110-20GHz | dB | -12 | -10 | |
| 射頻連接器輸入電阻 | Ω | 40 | ||
| 輸入阻抗直流連接器 | Ω | >1M | ||
| 晶體：Lithium Niobate | . | X-cut Y-propagation | ||
| 波導(dǎo)制作（waveguide process） | APE工藝 | |||
| 插入損耗 | dB | 3 | 4 | |
| 光回波損耗 | dB | <-45 | ||
| 波長(zhǎng)相關(guān)損耗（1480-1600nm） | dB | 0.5 | 1 | |
| 直流（DC）消光比 | dB | 20 | 22 | |
| 輸入光纖 | Panda保偏光纖1.5米長(zhǎng)，900um | |||
| 輸出光纖 | SMF-28單模光纖1.5米長(zhǎng)，900um（PMF可選） | |||
| 輸入RF連接器 | SMA | |||
| DC連接器 | Pin feed-through直徑：1.0mm | |||
| 封裝尺寸 | mm | 110 x12.5 x9.0 | ||
| 工作溫度 | ℃ | 0~ +70 | ||
| 存儲(chǔ)溫度 | ℃ | -40 ~ +85 | ||
| DC輸入最大電壓 | V | ±20 | ||
| 最大RF輸入功率 | dBm | 28 | ||
| 最大輸入光功率 | mW | 200（APE工藝） | ||
| 備注：1310nm、1064nm、850nm 波長(zhǎng)可定制 | ||||
五、1550nm保偏鈮酸鋰強(qiáng)度調(diào)制器測(cè)試曲線
六、1550nm保偏鈮酸鋰強(qiáng)度調(diào)制器機(jī)械尺寸
七、四川梓冠光電1550nm保偏鈮酸鋰強(qiáng)度調(diào)制器訂購(gòu)信息
型號(hào)：ZG-IM-A-B-C-D-E-F
| ZG-IM | A | B | C | D | E | F |
| 波長(zhǎng) | 電光帶寬 | 輸入光纖 | 輸出光纖 | 輸入光纖連接器 | 輸出光纖連接器 | |
| 850=850nm 1064=1064nm 1550=1550nm | 3=3GHz 10=10GHz | PMF=偏振保持光纖 SMF=單模光纖 | PMF=偏振保持光纖 SMF=單模光纖 | 00=裸光纖 FA=FC/APC FS=FC/SPC | 00=裸光纖 FA=FC/APC FS=FC/SPC |
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