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1550nmMEMS光衰減器
1550nmMEMS光衰減器具有高精度、高穩(wěn)定性、快速響應、微型化與集成化的特性,主要應用于光通信系統(tǒng)、光網(wǎng)絡管理、光器件測試、光傳感領(lǐng)域等領(lǐng)域
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詳細信息

1550nmMEMS光衰減器

一、1550nmMEMS光衰減器的定義
1550nmMEMS光衰減器是一種基于微機電系統(tǒng)技術(shù)的光學元件,通過精確控制微機械結(jié)構(gòu)的運動,實現(xiàn)對光路中光信號強度的實時調(diào)節(jié)。它利用微機械結(jié)構(gòu)的微小位移或變形,改變光信號的傳輸路徑或反射率,從而達到衰減光信號的目的。MEMS光衰減器以其高精度、高穩(wěn)定性和快速響應的特點,在光通信系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。


二、1550nmMEMS光衰減器的特性

高精度
高穩(wěn)定性
快速響應

微型化與集成化


三、1550nmMEMS光衰減器的應用范圍

光通信系統(tǒng)
光網(wǎng)絡管理
光器件測試
光傳感領(lǐng)域


四、1550nmMEMS光衰減器的技術(shù)參數(shù)

     參數(shù)
單位
指標
備注
    波長范圍
nm
15501260-1650nm or 980nm/1064nm 可定制
    衰減類型

Normally bright or dark

    衰減范圍
dB
≥30

    最大衰減范圍
dB
≥45

    插入損耗
dB
≤0.7 (0.5 Typ.)
不含連接頭損耗
    衰減類型

連續(xù)

    波長相關(guān)損耗
dB
≤0.1
在0dB測試
≤1
在20dB測試
    紋波
dB
≤0.05
0.4nm 帶寬在20dB測試
    偏振相關(guān)損耗
dB
≤0.1
在0dB測試
≤1
在20dB測試
    溫度相關(guān)損耗
dB
≤0.15
在0dB測試比較
≤1
在20dB測試比較
    回波損耗
dB
≥55

    偏振模色散
ps
≤0.5

    響應時間
ms
≤2  (1 Typ.)
10-90% 光功率
    承受光功率
mW
300

    驅(qū)動電壓
VDC
6V
在5.2v 典型是40db
    功耗
mW
≤2

    工作溫度
0 to 70

    貯藏溫度

-40 to 85


封裝尺寸及管腳定義

封裝尺寸及管腳定義


線性度

線性度



五、四川梓冠光電1550nmMEMS光衰減器訂貨信息

型號:ZG-MEMS-VOA-A-B-C-D-E-F

ZG-MEMS-VOA
ABCDEF
VOA
端口
工作波長
光纖類型
光纖長度
連接頭
1=常閉
2=常開
0101=1X1
XX=others
1060=1060nm
1310=1310nm
1550=1550nm
1625=1625nm
X=others
1=裸光纖
900=900um光纖
XX=others
0.5=0.5m
1=1m
X=others
NE=None
FA=FC/APC
FP=FC/PC
SA=SC/APC
SP=SC/PC
ST
LC
XX=others




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