Mini MEMS光衰減器(反射式)

一、Mini MEMS光衰減器(反射式)的定義
反射式Mini MEMS光衰減器是一種結(jié)合了MEMS技術(shù)與反射式設(shè)計(jì)的微型光衰減器。它利用微機(jī)械結(jié)構(gòu)精確控制光路中的光信號(hào)強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)光能量的有效衰減。相比傳統(tǒng)光衰減器，反射式Mini MEMS光衰減器在保持高精度調(diào)節(jié)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了器件的微型化和抗彎曲性能的提升，能夠更好地適應(yīng)復(fù)雜的光纖網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。

二、Mini MEMS光衰減器(反射式)的特點(diǎn)

微型化
高精度
卓越的抗彎曲性能
響應(yīng)速度快

動(dòng)態(tài)衰減范圍大

三、Mini MEMS光衰減器(反射式)的應(yīng)用領(lǐng)域

光通信系統(tǒng)穩(wěn)定器
光功率均衡器
光接收器保護(hù)器
系統(tǒng)試驗(yàn)與測(cè)試

四、Mini MEMS光衰減器(反射式)的技術(shù)參數(shù)


參數(shù)	單位	指標(biāo)	備注
波長范圍	nm	1260-1650nm or 980nm/1064nm
衰減類型		Normally bright or dark
衰減范圍	dB	≥30
最大衰減范圍	dB	≥45
插入損耗	dB	≤0.7 (0.5 Typ.)	不含連接頭損耗
衰減類型		連續(xù)
波長相關(guān)損耗	dB	≤0.1	在0dB測(cè)試
波長相關(guān)損耗	dB	≤1	在20dB測(cè)試
紋波	dB	≤0.05	0.4nm 帶寬在20dB測(cè)試
偏振相關(guān)損耗	dB	≤0.1	在0dB測(cè)試
偏振相關(guān)損耗	dB	≤1	在20dB測(cè)試
溫度相關(guān)損耗	dB	≤0.15	在0dB測(cè)試比較
溫度相關(guān)損耗	dB	≤1	在20dB測(cè)試比較
回波損耗	dB	≥55
偏振模色散	ps	≤0.5
響應(yīng)時(shí)間	ms	≤2 (1 Typ.)	10-90% 光功率
承受光功率	mW	300
驅(qū)動(dòng)電壓	VDC	6V	在5.2v 典型是40db
功耗	mW	≤2
工作溫度	℃	0 to 70
貯藏溫度	℃	-40 to 85

封裝尺寸及管腳定義

線性度

五、四川梓冠光電Mini MEMS光衰減器(反射式)訂貨信息

型號(hào)：ZG-MEMS-VOA-A-B-C-D-E-F

ZG-MEMS-VOA	A	B	C	D	E	F
	VOA	端口	工作波長	光纖類型	光纖長度	連接頭
	1=常閉 2=常開	0101=1X1 XX=others	1060=1060nm 1310=1310nm 1550=1550nm 1625=1625nm X=others	1=裸光纖 900=900um光纖 XX=others	0.5=0.5m 1=1m X=others	NE=None FA=FC/APC FP=FC/PC SA=SC/APC SP=SC/PC ST LC XX=others

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