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硅基光芯片
推薦產(chǎn)品:
硅基光芯片
四川梓冠光電生產(chǎn)制造的硅基光芯片依托18項(xiàng)專利技術(shù)(含7項(xiàng)發(fā)明專利),質(zhì)量評(píng)級(jí)為:軍工級(jí)元器件,提供SOI高速光開(kāi)關(guān)芯片,SOI光延時(shí)線芯片,SOI光電探測(cè)器芯片等硅基光芯片產(chǎn)品,具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)、高串?dāng)_的特點(diǎn),主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)、激光器雷達(dá)系統(tǒng)、光子系統(tǒng)等領(lǐng)域??商峁┞闫蚬怆娨惑w化封裝產(chǎn)品方案。
SOI高速光開(kāi)關(guān)1x8芯片
2025-08-01
SOI高速光開(kāi)關(guān)1x8芯片波長(zhǎng)1530-1565nm、插損≤8db、開(kāi)關(guān)速度<200ns
產(chǎn)品描述
SOI高速光開(kāi)關(guān)1x8芯片具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)、高串?dāng)_的特點(diǎn),主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)、激光器雷達(dá)等領(lǐng)域
SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列芯片
2025-08-01
SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列芯片波長(zhǎng)范圍:1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
產(chǎn)品描述
SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列芯片具有多通道,高集成度芯片化,高速響應(yīng)的特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)等領(lǐng)域
SOI高速多通道光衰減器
2025-08-01
SOI高速多通道光衰減器波長(zhǎng)范圍1530-1570nm或1270-1330nm
產(chǎn)品描述
SOI高速多通道光衰減器芯片具有多通道,高集成度芯片化,高速響應(yīng)的特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)等領(lǐng)域
SOI光延時(shí)線芯片
2025-08-01
SOI光延時(shí)線芯片波長(zhǎng)范圍?1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
產(chǎn)品描述
SOI光延時(shí)線芯片具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)等特點(diǎn),主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域
SOI偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列芯片
2025-08-01
SOI偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列芯片波長(zhǎng)范圍1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
產(chǎn)品描述
SOI偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列芯片具有多通道、高度集成度芯片化、高速響應(yīng)等特點(diǎn),主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域
SOI光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列芯片
2025-08-01
SOI光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列芯片波長(zhǎng)范圍:1530-1570nm或1270-1330nm
產(chǎn)品描述
SOI光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列芯片具有多通道,高集成度芯片化,大模擬帶寬等特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,激光雷達(dá)等領(lǐng)域
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