SOI高速光開關(guān)陣列芯片，該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低。
一、SOI高速光開關(guān)陣列芯片的特性
多通道
高集成度芯片化
高速響應(yīng)
二、SOI高速光開關(guān)陣列芯片的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)
三、SOI高速光開關(guān)陣列芯片的規(guī)格參數(shù)
| 參數(shù)指標(biāo) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 備注 |
| 波長范圍 | nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm | |||
| 消光比 | dB | 19 | 20 | 22 | |
| 插入損耗 | dB | 1.6 | 1.8 | 2.0 | |
| 回波損耗 | dB | 40 | 50 | ||
| 偏振相關(guān)損耗 | dB | 0.3 | 0.5 | ||
| 驅(qū)動(dòng)電壓 | V | 0.9 | 1 | 1.2 | @300ns |
| 驅(qū)動(dòng)電流 | mA | 6 | 7 | 9 | @300ns |
| 芯片級響應(yīng)時(shí)間 | ns | 30 | 300 | ||
| 熱調(diào)功耗 | mW | 30 | 50 | ||
| 通道數(shù) | 8—16或可定制 | ||||
| 光功率 | mW | 80 | |||
| 工作溫度范圍 | °C | -20 | 50 | ||
| 工作濕度范圍 | % | +65 | |||
| 尺寸 | mm | 芯片：20(L)×3 (W)×0.5(H) | 可定制 | ||
| 器件：90(L)x50(W)x13(H) | |||||
芯片尺寸
器件尺寸
四川梓冠光電SOI高速光開關(guān)陣列芯片訂貨信息
| ZG | 波長 | 通道數(shù) | 類型 |
| 13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH XX=other | 1=不帶熱調(diào) 2=帶熱調(diào) XX=other |
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