SOI高速多通道光衰減器芯片，基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)高速響應(yīng)的可調(diào)光路衰減，實(shí)現(xiàn)多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，衰減范圍大，調(diào)節(jié)精度高，衰減值穩(wěn)定，響應(yīng)時(shí)間為納秒級(jí)，可在高速、低時(shí)延系統(tǒng)中應(yīng)用。
一、SOI高速多通道光衰減器芯片的特性
多通道
高集成度芯片化
高速響應(yīng)
二、SOI高速多通道光衰減器芯片的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)
三、SOI高速多通道光衰減器芯片的規(guī)格參數(shù)
| 參數(shù)指標(biāo) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 備注 |
| 波長(zhǎng)范圍 | nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm | |||
| 衰減范圍 | dB | 20 | 25 | 40 | |
| 插入損耗 | dB | 0.8 | 1.2 | 2 | |
| 偏振相關(guān)損耗 | dB | 0.3 | 0.5 | ||
| 衰減精度 | dB | ±0.1 | |||
| 通道數(shù) | 8—16或可定制 | ||||
| 光功率 | mW | 80或可定制 | |||
| 芯片級(jí)響應(yīng)時(shí)間 | ns | 30 | 200 | 300 | |
| 工作溫度范圍 | °C | -20 | 50 | ||
| 驅(qū)動(dòng)電流 | mA | 45 | 60 | 20dB 衰減時(shí) | |
| 驅(qū)動(dòng)電壓 | V | 4.2 | 4.5 | 20dB 衰減時(shí) | |
| 工作濕度范圍 | % | +65 | |||
| 尺寸 | mm | 芯片 Chip: 單通道 20(L)x1.52(W)x0.5(H)或 10(L)x1.62(W)x0.5(H) 16 通道:20(L)x2.1(W)x0.5(H) 48 通道:20(L)x6.87(W)x0.5(H) 器件；63(L)x9.7(W)x7.9(H) | |||
芯片尺寸
器件尺寸
四川梓冠光電SOI高速多通道光衰減器芯片訂貨信息
| ZG | 波長(zhǎng) | 衰減大小 | 通道數(shù) |
| 13=1310nm 15=1550nm | 1=20dB 2=40dB | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=Other |
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